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      SiC MOSFET

      碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。在新能源汽車...

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      產品詳情

      碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。而燒結銀由于其超高的導電、導熱性能,低溫無壓燒結、高溫服役,連接強度高、抗疲勞性能好,成分不含膠、無有機殘留物等高性價比特性在封裝SiC MOSFET中的應用保證SiC芯片可靠性、充分發揮性能的關鍵。燒結  曲線如下:

      圖片1.png

      燒結前X-ray檢查

      1661822866165997.png1661822874402985.png1661822878521037.png1661822884618074.png

        燒結后孔洞率≤1%

      1661823012495023.png1661823017185853.png1661823023555164.png1661823028682635.png

        剪切強度

      樣品序號樣品1樣品2樣品3樣品4
      剪切強度72.3MPa81.9MPa75.6MPa

      80.1MPa


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